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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于G类功放架构的射频前端-CN202310168581.9有效
  • 吕关胜 - 优镓科技（苏州）有限公司
  • 2023-02-27 - 2023-10-17 - H04B1/40
  • 本发明公开一种基于G类功放架构的射频前端，包括发射支路和接收支路，其中发射支路包括低侧功率管和高侧功率管，低侧功率管的漏极和高侧功率管的漏极通过隔直电容连接，低侧功率管漏极与地之间并联有输出寄生电容和中和电感；接收支路包括低噪声放大器，其栅极依次连接有LNA输入匹配网络和单刀单掷开关；发射支路和接收支路后连接有后匹配网络。本发明利用G类功放架构提高回退效率，并应用非对称的收发开关架构降低发射支路损耗，从而达到显著提升平均发射效率的效果。
  • 基于功放架构射频前端
  • [发明专利]一种深回退区间Doherty功率放大器-CN202310921242.3在审
  • 闫伟;黄飞 - 优镓科技（苏州）有限公司
  • 2023-07-26 - 2023-10-10 - H03F1/02
  • 本发明公开一种深回退区间Doherty功率放大器，包括第一功分器、主功放支路、辅功放支路和后匹配网络，第一功分器分别连接主功放支路和辅功放支路，后匹配网络位于主功放支路和辅功放支路之后，其中辅功放支路包括至少两个辅功放单元，除末级辅功放单元外，其他辅功放单元的辅功率放大器输出端包括辅功放阻抗逆变器、辅功放阻抗变换器和第N功分器，N＝2，3,4，……；辅功放阻抗逆变器的输出端和辅功放阻抗变换器分别与第N功分器连接，辅功放阻抗变换器另一端连接在主功放支路中相应的主功放阻抗变换器之前。本发明提高了传统Doherty功率放大器的回退区间，同时规避了现有技术中的增益降低、效率降低等问题。
  • 一种深回退区间doherty功率放大器
  • [发明专利]一种氮化镓射频开关结构和通信基站-CN202211444138.1有效
  • 闫伟;吕关胜;黄飞 - 优镓科技（苏州）有限公司
  • 2022-11-18 - 2023-08-29 - H04B1/44
  • 本发明公开一种氮化镓射频开关结构和通信基站，其中开关结构包括至少两路开关通路，开关通路包括串联晶体管单元和并联晶体管单元，串联晶体管单元与并联晶体管单元串联，连接点同时连接射频端口，串联晶体管单元和并联晶体管单元分别通过各自的栅极供电，串联晶体管单元和并联晶体管单元的栅极分别设有偏置电阻，在并联晶体管单元与射频端口相连的晶体管栅极设置与偏置电阻并联的偏置二极管组件,在偏置二极管组件负极串联偏置电容，偏置电容另一端接地。本发明的这种偏置元件组合降低了射频开关的损耗，同时不会引入很多的额外芯片面积。
  • 一种氮化射频开关结构通信基站
  • [发明专利]时序控制电路和氮化镓功率放大器模组-CN202211479532.9在审
  • 周航;吕关胜;黄飞 - 优镓科技（苏州）有限公司
  • 2022-11-24 - 2023-03-07 - H03K17/296
  • 本发明公开一种时序控制电路和氮化镓功率放大器模组，其中时序控制电路包括负压‑正压转换电路、比较器、低压差线性稳压器、信号电平提升电路和晶体管，负压‑正压转换电路的输出电压与低压差线性稳压器输出的参考电压作为比较器的输入信号，比较器的输出端连接信号电平提升电路的输入端，信号电平提升电路的输出端为晶体管提供栅极电压。本发明的集成时序控制功能的氮化镓功率放大器模组，集成化程度更高，在成本上有明显优势，并且可以明显减小电路冗余，降低GaN PA使用的外围电路复杂度，适用于各种架构下的氮化镓功率放大器。
  • 时序控制电路氮化功率放大器模组
  • [实用新型]射频功率放大器的输入匹配电路和射频功率放大器-CN202220496682.X有效
  • 王星欣;黄飞 - 优镓科技（苏州）有限公司
  • 2022-03-07 - 2022-07-12 - H03F1/56
  • 本实用新型公开一种射频功率放大器的输入匹配电路和射频功率放大器，其中输入匹配电路包括高频匹配单元和低频稳定性匹配单元，该高频匹配单元至少包括第一电容和第一电感，第一电容一端作为射频信号输入端，另一端与第一电感串联，低频稳定性匹配单元的输入端连接在第一电容和第一电感之间。本实用新型射频功率放大器的输入匹配电路电感和电容的组合实现高频良好的匹配效果，而电阻和电容的组合改变低频阻抗，能实现低频的良好匹配，确保了射频功率放大器在超宽带范围内有良好的输入阻抗效果，进而保证射频功率放大器在超宽带内有较好的增益平坦度。
  • 射频功率放大器输入匹配电路
  • [发明专利]基于异质晶体管堆叠结构的混合功率放大器-CN202210207867.9在审
  • 闫伟;黄飞 - 优镓科技（苏州）有限公司
  • 2022-03-03 - 2022-05-31 - H03F1/02
  • 本发明公开一种基于异质晶体管堆叠结构的混合功率放大器，包括第一晶体管和第二晶体管，其中第一晶体管为氮化镓HEMT，第二晶体管为砷化镓HBT，第一晶体管的源极与第二晶体管的集电极连接，第一晶体管的栅极施加栅极偏置电压，漏极接有电源；第二晶体管的基极施加基极偏置电压，其发射极接地。本发明利用氮化镓HEMT和砷化镓HBT两种异质晶体管堆叠，利用晶体管堆叠的分压特性，可以提高氮化镓晶体管的栅极电压，从而消除负压。整体晶体管的开启阈值由砷化镓HBT决定，阈值电压较为稳定，同时堆叠晶体管会比单独晶体管提高约3dB的增益，使得整体氮化镓放大器具有更高的增益。
  • 基于晶体管堆叠结构混合功率放大器
  • [发明专利]一种功率放大器模组-CN202210180643.3在审
  • 周航;黄飞 - 优镓科技（苏州）有限公司
  • 2022-02-25 - 2022-05-31 - H03F3/21
  • 本发明公开一种功率放大器模组，包括驱动级功率放大单元和末级功率放大器，驱动级功率放大单元和末级功率放大器之间设有第一级间匹配网络，驱动级功率放大单元前连接有输入匹配网络，末级功率放大器后连接有输出匹配网络；末级功率放大器采用的晶体管管芯材质为氮化镓，驱动级功率放大单元采用的晶体管中至少有一个管芯材质为砷化镓。本发明末级功率放大器采用氮化镓GaN，驱动级功率放大器/预驱动级功率放大器采用砷化镓HBT工艺实现，克服了只使用氮化镓GaN设计功率放大器模组在高功率等级存在成本过高、带宽较窄的问题。
  • 一种功率放大器模组
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