[发明专利]一种基于集成电路进行多层并联的电容在审

专利信息
申请号: 202210185563.7 申请日: 2022-02-28
公开(公告)号: CN114613863A 公开(公告)日: 2022-06-10
发明(设计)人: 曾繁中;张汝京;邹才明 申请(专利权)人: 宁波芯恩半导体科技有限公司
主分类号: H01L29/92 分类号: H01L29/92;H01L29/93;H01L29/94
代理公司: 北京盛凡佳华专利代理事务所(普通合伙) 11947 代理人: 赵浩淼
地址: 315000 浙江省宁波市北*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种基于集成电路进行多层并联的电容,包括若干并联的电容和基板,所述电容设置于基板上方构成第一并联电容,所述电容设置于基板中构成第二并联电容;所述电容包括端电极、内电极、介质、金属通孔,所述端电极包括第一端电极和第二端电极,所述内电极包括若干层;所述第一金属通孔设置于第一端电极顶部,所述第二金属通孔设置于第二端电极顶部;本发明采用将基板做成PN结电容、MOS电容,接着做多层的大电容,集成在一起,同时改善高频低频特性;集成电路工艺机械应力很小,半导体平面工艺,均匀性好,性能稳定,多层并联,适合制作大电容,大的电容一般高频性能不好,而小容量电容则刚好相反,具有很好的高频性能。
搜索关键词: 一种 基于 集成电路 进行 多层 并联 电容
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波芯恩半导体科技有限公司,未经宁波芯恩半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210185563.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top