[发明专利]一种失效定位方法在审
| 申请号： | 202210185334.5 | 申请日： | 2022-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN116705635A | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 陈强;高金德 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种失效定位方法，提供含有失效后段结构的芯片样品；对芯片样品进行去层次，暴露出需要分析的金属层；在芯片样品表面沉积一层覆盖所述金属层的金属导电层；去除芯片样品表面覆盖在金属层上的所述金属导电层的部分，将金属层露出；在芯片样品表面沉积一层覆盖露出的金属层以及剩余的金属导电层的非导电保护层；对芯片样品制备包含金属层、金属导电层以及非导电保护层的TEM薄片样品；对TEM薄片样品进行VC分析，锁定断路位置；对TEM薄片样品上的断路位置进行分析。本发明解决了微小缺陷造成的金属后段断路问题无法定位分析的困难，并且可以在失效定位后，不需再加工样品，直接进行TEM分析，极大地提高了分析的成功率和质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 失效 定位 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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