[发明专利]测试结构及其形成方法、工作方法和电路有效
申请号: | 202210183669.3 | 申请日: | 2022-02-28 |
公开(公告)号: | CN114236343B | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 姜清华;黄玺 | 申请(专利权)人: | 常州承芯半导体有限公司 |
主分类号: | H01S5/00 | 分类号: | H01S5/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 朱得菊;徐文欣 |
地址: | 213166 江苏省常州市武*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种测试结构及其形成方法、工作方法和电路,涉及半导体技术领域,结构包括:衬底,所述衬底包括若干沿第一方向和第二方向呈阵列分布的器件区,所述第一方向和第二方向不同;若干器件结构,各器件结构分别位于各器件区表面;若干漏极层,各漏极层分别与一个器件结构电连接;若干平行于第二方向的源极层,各源极层与沿第二方向排列的一排器件结构对应;若干半导体层,各半导体层分别位于任一漏极层和对应的源极层之间,且所述半导体层分别与任一漏极层以及对应的源极层相接;若干平行于第一方向的栅极结构,各栅极结构分别位于沿第一方向排列的一排半导体层表面。所述测试结构的测试效率得到提升。 | ||
搜索关键词: | 测试 结构 及其 形成 方法 工作 电路 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州承芯半导体有限公司,未经常州承芯半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210183669.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。