[发明专利]测试结构及其形成方法、工作方法和电路

权利要求书

1.一种测试结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括若干沿第一方向和第二方向呈阵列分布的器件区，所述第一方向和所述第二方向不同；

若干器件结构，各所述器件结构分别位于各所述器件区表面；

若干漏极层，各所述漏极层分别与一个所述器件结构电连接；

若干平行于所述第二方向的源极层，各所述源极层与沿所述第二方向排列的一排所述器件结构对应；

若干半导体层，各所述半导体层分别位于任一所述漏极层和对应的所述源极层之间，且所述半导体层分别与任一所述漏极层以及对应的所述源极层相接；

若干平行于所述第一方向的栅极结构，各所述栅极结构分别位于沿所述第一方向排列的一排所述半导体层表面，

所述半导体层在加载于栅极结构上电压的作用下导通并电连接所述漏极层和对应的所述源极层。

2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述半导体层的材料包括半导体材料，所述半导体材料包括：硅、碳化硅、硅锗、Ⅲ-Ⅴ族元素构成的多元半导体材料、绝缘体上硅（SOI）或者绝缘体上锗（GOI），其中，Ⅲ-Ⅴ族元素构成的多元半导体材料包括InP、GaAs、GaP、InAs、InSb、InGaAs或者InGaAsP。

3.如权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述半导体层内具有掺杂离子，所述掺杂离子的导电类型包括N型或P型。

4.如权利要求3所述的测试结构，其特征在于，所述导电类型为N型的掺杂离子包括磷离子、砷离子或锑离子；所述导电类型为P型的掺杂离子包括硼离子、硼氟离子或铟离子。

5.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述衬底还包括：位于相邻所述器件区之间的切割道区，所述切割道区包括平行于所述第一方向的第一切割道以及平行于所述第二方向的第二切割道；所述半导体层位于所述第二切割道上，所述源极层位于所述第二切割道上。

6.如权利要求5所述的测试结构，其特征在于，所述栅极结构包括相连接的第一分部和第二分部，所述第一分部位于所述第一切割道上，所述第一分部的延伸方向平行于所述第一方向，所述第二分部位于所述第二切割道上的所述半导体层上。

7.如权利要求6所述的测试结构，其特征在于，还包括：位于所述半导体层和所述第二分部之间的绝缘层。

8.如权利要求7所述的测试结构，其特征在于，所述绝缘层的材料包括：氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮碳化硅和氮碳氧化硅中的一种或多种的组合。

9.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述源极层的材料包括金属或金属氮化物；所述金属包括：铜、铝、钨、钴、镍和钽中的一种或多种的组合；所述金属氮化物包括氮化钽和氮化钛中的一种或多种的组合。

10.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述栅极结构的材料包括金属或金属氮化物；所述金属包括：铜、铝、钨、钴、镍和钽中的一种或多种的组合；所述金属氮化物包括氮化钽和氮化钛中的一种或多种的组合。

11.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述漏极层的材料包括金属或金属氮化物；所述金属包括：铜、铝、钨、钴、镍和钽中的一种或多种的组合；所述金属氮化物包括氮化钽和氮化钛中的一种或多种的组合。

12.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述器件结构位于所述器件区第一面表面。