[发明专利]一种具有高功率高光束质量的GaAs基大功率锥形激光器芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202210168177.7 | 申请日： | 2022-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN116683284A | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 王潇潇;苏建;刘琦;徐现刚;郑兆河 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/00;H01S5/22;H01S5/343 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 许德山 |
| 地址： | 250101 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种具有高功率高光束质量的GaAs基大功率锥形激光器芯片及其制备方法，本发明提供的GaAs基大功率锥形激光器芯片将传统的锥形激光器单模区和锥形放大区的脊条形式改为边缘具有微结构的宽条区和锥形放大区的脊条形式，边缘具有微结构的宽条区通过边缘滤波实现模式的筛选，不再采用模式宽度截止的方法，实现了功率可提升的目的，并且光束质量不受边缘具有微结构的宽条区的长度影响，可以通过控制边缘具有微结构的宽条区的长度实现功率大小的调控，进而实现锥形激光器高功率高光束质量要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 功率 光束 质量 gaas 大功率 锥形 激光器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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