[发明专利]用于三维存储器件的贯穿阵列触点（TAC）在审
| 申请号： | 202210166774.6 | 申请日： | 2018-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN114551463A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 陶谦;胡禺石;吕震宇;肖莉红;戴晓望;周玉婷;汤召辉;郭美澜;唐志武;魏勤香;徐前兵;刘沙沙;孙坚华;王恩博 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11565 | 分类号： | H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11578;H01L27/11582;H01L21/768;H01L23/48;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 刘健;张殿慧 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了三维(3D)存储器件的互连结构和形成互连结构的方法的实施例。在示例中，3D NAND存储器件包括半导体衬底、设置于半导体衬底上的交替堆叠层、以及在衬底的隔离区域上的垂直延伸通过交替堆叠层的电介质结构。此外，交替堆叠层邻接电介质结构的侧壁表面，并且电介质结构由电介质材料形成。3D存储器件额外包括垂直延伸通过电介质结构和隔离区域的一个或多个贯穿阵列触点，以及垂直延伸通过交替堆叠层的一个或多个沟道结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 三维 存储 器件 贯穿 阵列 触点 tac | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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