[发明专利]一种兼容CMOS工艺的LDMOS器件有效
| 申请号： | 202210164410.4 | 申请日： | 2022-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN114220849B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 程晨;王彬;徐凯;吴李瑞 | 申请（专利权）人： | 江苏游隼微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 吴旭 |
| 地址： | 211135 江苏省南京市栖霞区麒麟科技*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种兼容CMOS工艺的LDMOS器件，采用阶梯型的浅沟槽隔离结构，使栅极与漏区之间的表面区域填充物质为氧化物，避免增加淀积金属硅化物阻挡层这一步骤，减少了工艺步骤和工艺难度，提高了器件性能，缩短电流流通路径来减小导通电阻，同时保持较高的击穿电压。此外，通过增加深掺杂层和两个离子通道层结构共同包围LDMOS器件并接出电极，使得在相同结深的阱区保证LDMOS在高温下也能稳定工作并且还能通过接出电极进行外部电位调节，使得器件也会具有高击穿电压，且能够兼容CMOS工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 兼容 cmos 工艺 ldmos 器件 | ||
【主权项】：
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