[发明专利]存储器电路系统和用于形成存储器电路系统的方法在审
| 申请号： | 202210156672.6 | 申请日： | 2022-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN115547379A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 杨广军 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C8/08 | 分类号： | G11C8/08 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及存储器电路系统和用于形成存储器电路系统的方法。一种用于形成存储器电路系统的方法包括形成晶体管，所述晶体管个别地包括一个源极/漏极区和另一源极/漏极区。沟道区在所述一个源极/漏极区与所述另一源极/漏极区之间。导电栅极以操作方式接近所述沟道区。形成个别地直接电耦合到所述另一源极/漏极区的导电通孔。形成直接耦合到所述一个源极/漏极区的导体材料。在一个方向上使所述导体材料图案化以形成所述导体材料的水平线，所述水平线在紧邻的水平导体材料线之间具有水平沟槽。以自对准方式，形成个别地在所述紧邻导体材料线之间的所述沟槽中的个别者中的数字线。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 电路 系统 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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