[发明专利]改善晶圆接触孔线宽均一性的方法在审
| 申请号： | 202210154839.5 | 申请日： | 2022-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN114695079A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 阚琎;昂开渠 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种改善晶圆接触孔线宽均一性的方法，提供多个衬底，每个衬底上均形成有由下而上的抗反射涂层和光刻胶层，光刻打开光刻胶层使得抗反射涂层裸露；将多个衬底中的其中一个设置于刻蚀机内的刻蚀腔，在刻蚀腔内通入刻蚀气体，利用刻蚀气体对衬底的裸露部分进行刻蚀；持续获取刻蚀腔内刻蚀气体的剩余量，得到其剩余量数据；提供刻蚀气体的剩余量的阈值范围，在刻蚀腔内通入清洁气体，并根据剩余量数据调节清洁气体的流量，使得刻蚀气体的剩余量处于阈值范围内；利用不同流量清洁气体进行腔体清洁后对多个衬底中剩余的每一个分别进行刻蚀。本发明采用不同流量O2进行腔体清洁，从而改善晶圆和晶圆间接触孔刻蚀线宽的均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 接触 孔线宽 均一 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
