[发明专利]自动补充银离子的系统及喷镀银系统及喷镀银工艺在审
| 申请号： | 202210153472.5 | 申请日： | 2022-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN114438563A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 郑建国;罗小平 | 申请（专利权）人： | 崇辉半导体有限公司 |
| 主分类号： | C25D5/08 | 分类号： | C25D5/08;C25D21/14;C25D3/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529000 广东省江门市江海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及高速喷镀银领域，具体公开了自动补充银离子的系统及喷镀银系统及喷镀银工艺。自动补充银离子的系统包括用于与高速喷镀槽连通的制银槽和用于输出大小与高速喷镀槽的电流大小相同的制银电源；制银槽内设置有与制银电源的正极连接的银板和与制银电源的负极连接的惰性金属；制银槽设置有用于将制银槽分隔为用于盛放电镀液的阳极部和用于盛放电解质溶液的阴极部并选择性隔绝电镀液中盐溶液离子通过的离子交换膜。喷镀银系统包括自动补充银离子的系统、高速喷镀槽和喷镀电源，高速喷镀槽与制银槽的阳极部连通。喷镀银工艺为：采用喷镀银系统进行喷镀。本申请的产品可用于高速喷镀银，其具有提升补充电镀液中银离子的便捷性优点。 | ||
| 搜索关键词： | 自动 补充 银离子 系统 镀银 工艺 | ||
【主权项】：
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