[发明专利]采用P型衬底的半导体激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 202210134222.7 | 申请日： | 2022-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN114498281B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 刘振武;仲莉;马骁宇;刘素平;熊聪 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/125;H01S5/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用P型衬底的半导体激光器，包括：P型衬底；在P型衬底上依次外延生长有P型缓冲层、P型传输层、P型限制层；在P型限制层上形成有P型波导层；在P型波导层上形成有有源层；在有源层上形成有N型波导层，N型波导层的厚度大于P型波导层的厚度；在N型波导层上形成叠层结构，叠层结构包括依次形成的N型限制层、N型缓冲层、N型欧姆接触层；其中，从叠层结构表面对叠层结构进行刻蚀以形成脊型波导，使脊型波导相对于P型波导层更靠近N型波导层。本发明提供的激光器，通过设计脊型波导相对于P型波导层更靠近N型波导层，使得脊型波导距离光场更近，从而对光场有更好的反馈。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 衬底 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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