[发明专利]保护膜形成膜、保护膜形成用片、保护膜形成用复合片及装置的制造方法在审
申请号: | 202210114400.X | 申请日: | 2022-01-30 |
公开(公告)号: | CN115181309A | 公开(公告)日: | 2022-10-14 |
发明(设计)人: | 佐藤壮起;田中佑耶 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | C08J7/04 | 分类号: | C08J7/04;C08L67/02;C09D133/08;C09D163/00;C09D5/20;C09D7/62;H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/544 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;谢顺星 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种抑制了因清洗助焊剂导致的保护膜与芯片之间的剥离的保护膜形成膜、具备该保护膜形成膜的保护膜形成用片及保护膜形成用复合片、以及半导体装置等装置的制造方法。一种保护膜形成膜,其为用于形成保护膜的保护膜形成膜,其中,浸渍于2‑氨基乙醇后的保护膜与硅芯片之间的界面的剪切强度为33N/5mm以上。 | ||
搜索关键词: | 保护膜 形成 复合 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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