[发明专利]垂直结构的薄膜LED芯片、微型LED阵列及其制备方法在审
| 申请号： | 202210106765.8 | 申请日： | 2022-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN114447176A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 郝茂盛;陈朋;袁根如;张楠;马艳红;闫鹏;马后永 | 申请（专利权）人： | 上海芯元基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40;H01L33/44;H01L33/46;H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种垂直结构的薄膜LED芯片，包括：外延发光结构，具有相对的第一主面和第二主面，包括依次堆叠的N型外延层、发光层和P型外延层，外延发光结构具有贯穿至所述N型外延层表面的第一台阶结构；N电极，设置于所述N型外延层的第一台阶结构上，N电极包括主体部和延伸部，并且所述N电极通过所述主体部与所述第一台阶结构的上表面形成电性接触，所述延伸部围绕所述N型外延层的侧壁形成；和P电极，所述P电极设置于所述外延发光结构的第一主面上。本发明还提供一种微型LED阵列。所述薄膜LED芯片可以解决现有芯片结构中四周边缘的电流扩展均匀性较差，提高了芯片的电流扩展均匀性及反射有效面积，从而最大程度地提高了芯片的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 结构 薄膜 led 芯片 微型 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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