[发明专利]自间隙型硅片的处理工艺在审
| 申请号： | 202210105423.4 | 申请日： | 2022-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN114464702A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 王振;李青海;许武警 | 申请（专利权）人： | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/223 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 221000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种自间隙型硅片的处理工艺，包括以下步骤：S100将自间隙型硅片升温至第一预设温度T1后保温，所述第一预设温度T1为700℃‑800℃，所述保温时间为5s‑25s；S200将步骤S100得到的硅片升温至第二预设温度T2后保温，所述第二预设温度T2为1300℃‑1350℃，所述保温时间为10s‑60s；S300将步骤S200得到的硅片以预设降温速率V降至室温，所述预设降温速率V为50℃/s‑100℃/s；所述步骤S100‑S300在惰性气体氛围下进行。本发明能够实现自间隙型硅片形成高密度BMD及深DZ，使自间隙型硅片具备内吸杂能力。 | ||
| 搜索关键词： | 间隙 硅片 处理 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
