[发明专利]一种三维相变存储器的形成方法及三维相变存储器在审
| 申请号： | 202210105229.6 | 申请日： | 2022-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN114512600A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 邵磊;张颖玲 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种三维相变存储器的形成方法及三维相变存储器，其中方法包括：采用沿第一方向延伸的多个初始刻蚀图案，刻蚀第一掩膜叠层，以形成第一刻蚀掩膜叠层；在所述第一刻蚀掩膜叠层表面形成第二掩模叠层；采用沿第二方向延伸的多个二次刻蚀图案，依次刻蚀所述第二掩膜叠层和所述第一刻蚀掩膜叠层，形成二次刻蚀掩膜叠层，其中，所述二次刻蚀掩膜叠层具有网格状图案；以所述二次刻蚀掩膜叠层为掩膜，刻蚀相变存储单元叠层，以形成柱状的相变存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 相变 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
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