[发明专利]一种局域钝化接触的选择性发射极结构的制备方法及应用方法

摘要

本发明涉及太阳能电池技术领域，公开一种局域钝化接触的选择性发射极结构的制备方法及应用方法；其制备方法包括：对硅片进行制绒处理，以在硅片的表面形成金字塔结构；在硅片正面制备隧穿氧化硅；使用带有栅线状镂空图案的载板装载硅片，隧穿氧化硅的正面朝下，以使载板局部掩盖隧穿氧化硅的正面，再采用磁控溅射法以向上沉积方式在隧穿氧化硅的正面局域沉积掺杂非晶硅；对局域沉积后的硅片正面进行扩散掺杂处理，使非局域沉积区域形成轻掺杂发射极，而局域沉积区域形成重掺杂多晶硅，得到依次叠加有隧穿氧化硅和重掺杂多晶硅的局域钝化接触结构。该制备方法不仅能制备局域钝化接触的选择性发射极结构，还兼具制备工序少、精度高、成本低的优点。