[发明专利]一种改善IO栅氧损伤的方法在审
| 申请号： | 202210097248.9 | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114512542A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 张鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善IO栅氧损伤的方法，在半导体结构上形成一层栅氧层；在栅氧层上形成多个相互间隔的伪栅极；刻蚀去除伪栅极，形成凹槽，将位于伪栅极下方的栅氧层暴露；形成一层牺牲氧化层覆盖凹槽的表面；凹槽底部的栅氧层被覆盖；形成光阻层覆盖半导体结构，之后显影定义出IO区域和core区域；显影后IO区域被光阻层覆盖；刻蚀去除core区域的牺牲氧化层和栅氧层；去除IO区域剩余的光阻层，同时IO区域的牺牲氧化层被去除。本发明在伪栅极去除后、光阻覆盖前，在栅氧上面额外生长一层牺牲氧化层，避免湿法刻蚀液中的DHF直接接触IO区域的栅氧层，通过精确控制牺牲氧化层的厚度使其恰好被去除，保留栅氧层，从而达到兼顾IO栅氧的质量和厚度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 io 损伤 方法 | ||
【主权项】：
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