[发明专利]一种改善金属栅高压器件可靠性的工艺方法在审
| 申请号： | 202210097237.0 | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114496919A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 詹曜宇;张志刚;王奇伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种改善金属栅高压器件可靠性的工艺方法，在衬底上形成包含栅氧层及多晶硅层的叠层；刻蚀叠层形成叠层结构；沉积覆盖叠层结构及被暴露出的衬底上的第一侧墙层；刻蚀侧墙层，将叠层结构顶部及衬底上表面暴露，在叠层结构的侧壁形成第一侧墙；在叠层结构的侧壁形成第二侧墙；刻蚀叠层结构，在叠层结构上形成多个狭槽；狭槽底部为多晶硅层；光刻胶回刻，形成覆盖衬底以及填充于狭槽的介质层；平坦化介质层；去除多晶硅层形成凹槽，并露出衬底上表面的栅氧层；在凹槽内填充金属，平坦化金属。本发明通过将多晶硅刻蚀与形成狭槽的工艺进行分离，最大程度减少狭槽形成对栅氧层的影响，极大地减轻了高压器件可靠性降低的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 金属 高压 器件 可靠性 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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