[发明专利]一种基于等离子体处理有源层的金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210094383.8 | 申请日： | 2022-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN114823349A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 赵万鹏;叶志 | 申请（专利权）人： | 海宁市产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/425 | 分类号： | H01L21/425;H01L21/34;H01L29/786 |
| 代理公司： | 浙江永航联科专利代理有限公司 33304 | 代理人： | 江程鹏 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于等离子体处理有源层的金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，属于晶体管技术领域。制备方法包括：用金属氧化物在衬底上沉积并刻蚀成半导体有源层；在有半导体源层上面沉积形成栅绝缘层；透过栅绝缘层向半导体有源层注入低浓度的等离子体束；在栅绝缘层上沉积并刻蚀后形成栅电极；透过栅绝缘层向半导体有源层注入低浓度的等离子体束，从而制得沟道区、源极区和漏极区；再次沉积形成钝化绝缘层保护整个器件；开引线孔暴露出栅电极、源极区域和漏极区域；在各引线孔上沉积金属并刻蚀形成金属电极。本方法工艺简单、成本低，能够同时实现耗尽型、增强型晶体管，制得的晶体管具有具有高迁移率和高稳定性等优异电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 等离子体 处理 有源 金属 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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