[发明专利]一种固体中子转换层及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202210093838.4 | 申请日： | 2022-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN114481030A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 朱京涛;朱杰;金宇;陈溢祺;梅晓红;张秀霞 | 申请（专利权）人： | 苏州闻道电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/02;C23C14/06;G01T3/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 李博 |
| 地址： | 215400 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种固体中子转换层及其制备方法和应用，属于碳化硼薄膜制造领域。本发明通过对基体经过离子轰击处理，然后加镀铝膜，很好的改善了应力特性，保证镀制的碳化硼薄膜具有足够高的强度不会破裂和脱落，同时铝膜为微米/纳米级铝膜，应力小，可以和基底保持良好的粘附性；在基体和碳化硼薄膜之间添加亚微米至微米级的铝层作为表面处理层，当碳化硼薄膜原子在微米级厚度的铝层上成核聚集并成膜的过程中，由于铝膜表面的粗糙度而存在的微小“缝隙”，碳化硼薄膜成膜过程中原子的应力存在被弛豫、释放掉的空间，从而可以成功镀制微米级低应力甚至无应力的碳化硼薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 固体 中子 转换 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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