[发明专利]功率半导体器件热流特性的频域建模方法及应用在审

专利信息
申请号: 202210086682.7 申请日: 2022-01-25
公开(公告)号: CN114662355A 公开(公告)日: 2022-06-24
发明(设计)人: 马柯;徐梦琦;蔡旭 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: G06F30/23 分类号: G06F30/23;G06F119/08
代理公司: 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 代理人: 徐红银;刘翠
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种功率半导体器件热流特性的频域建模方法及应用,基于功率半导体器件流出热流在频域下所呈现的幅频特性,建立包含3个特征频率的多阶低通滤波器模型,并利用该低通滤波器模型,构建功率半导体器件输出热流频域模型,实现对功率半导体器件热流特性的仿真和应用。其中,所述低通滤波器的幅频特性应尽可能与器件流出热流的幅频特性保持一致,且该低通滤波器的特征频率为3个。通滤波器的总阶数与功率半导体器件内部材料层数一致。同时提供了一种相应的终端及介质。本发明可以准确地对功率半导体器件热流特性进行刻画,提高功率半导体器件工况下热特性及老化状态的预测精度。
搜索关键词: 功率 半导体器件 热流 特性 建模 方法 应用
【主权项】:
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