[发明专利]一种增加低频射频信号承载能力的MOS管堆叠结构有效
| 申请号： | 202210085836.0 | 申请日： | 2022-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN114564902B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 杜书剑;王静波 | 申请（专利权）人： | 南京元络芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/3308 | 分类号： | G06F30/3308;H03K17/687 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 母秋松 |
| 地址： | 210031 江苏省南京市江北*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增加低频射频信号承载能力的MOS管堆叠结构，包括若干个MOS管，MOS管的源级、栅级依次相连堆叠成开关栈，开关栈连接高压信号Vin的一端为高阶，连接低压信号Vout的一端为低阶，射频信号从高阶输入，低阶输出，所述每个MOS管的漏极和源极之间并联接入阻抗元件，每个阻抗元件的阻抗值从低价开始向高价逐级递减。本发明设计了MOS管的源漏并联阻抗元件，每级源漏并联阻抗元件并不相同，源漏并联阻抗元件阻抗值大小与其所在阶数的位置关系有关。每级源漏并联阻抗元件大小呈递减关系。利用改变源漏并联阻抗元件来匹配栅极泄露电流，以平衡级间电压分布。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增加 低频 射频 信号 承载 能力 mos 堆叠 结构 | ||
【主权项】：
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