[发明专利]一种增加低频射频信号承载能力的MOS管堆叠结构有效
| 申请号： | 202210085836.0 | 申请日： | 2022-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN114564902B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 杜书剑;王静波 | 申请（专利权）人： | 南京元络芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/3308 | 分类号： | G06F30/3308;H03K17/687 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 母秋松 |
| 地址： | 210031 江苏省南京市江北*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 增加 低频 射频 信号 承载 能力 mos 堆叠 结构 | ||
1.一种增加低频射频信号承载能力的MOS管堆叠结构，其特征在于：包括若干个MOS管，MOS管的源级、栅级依次相连堆叠成开关栈，开关栈连接高压信号Vin的一端为高阶，连接低压信号Vout的一端为低阶，射频信号从高阶输入，低阶输出，所述每个MOS管的漏极和源极之间并联接入阻抗元件，每个阻抗元件的阻抗值从低阶开始向高阶逐级递减；
每个阻抗元件的阻抗值计算公式如下：
其中，Rdsn为第n阶源漏之间并联阻抗值，Rds1为第一阶源漏之间并联阻抗值，为给定值，单位为欧姆，Rgb为电阻参数，单位为欧姆。
2.根据权利要求1所述的一种增加低频射频信号承载能力的MOS管堆叠结构，其特征在于：所述阻抗元件采用电阻。
3.根据权利要求1所述的一种增加低频射频信号承载能力的MOS管堆叠结构，其特征在于：所述阻抗元件采用电感。
4.根据权利要求1所述的一种增加低频射频信号承载能力的MOS管堆叠结构，其特征在于：所述阻抗元件采用电容。
5.根据权利要求1所述的一种增加低频射频信号承载能力的MOS管堆叠结构，其特征在于：所述阻抗元件采用电阻、电感、电容至少其中两个的串联、并联或者串并联结构。
6.根据权利要求1所述的一种增加低频射频信号承载能力的MOS管堆叠结构，其特征在于：所述MOS管采用PMOS管。
7.根据权利要求1所述的一种增加低频射频信号承载能力的MOS管堆叠结构，其特征在于：所述MOS管采用NMOS管。
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