[发明专利]基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法在审
| 申请号： | 202210083528.4 | 申请日： | 2022-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN114447763A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 贺钰雯;周坤;杜维川;李弋;何林安;张亮;高松信;唐淳 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/22 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 刘世权 |
| 地址： | 621000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法，该方法包括：在刻蚀好脊形波导的外延片上沉积一层绝缘膜；在所述绝缘膜上涂一层光刻胶，并进行软烘；对所述光刻胶进行刻蚀，直至脊形波导上方的光刻胶被完全刻蚀后停止，并对残留的光刻胶进行硬烘；对硬烘后外延片上脊形上方的绝缘膜进行刻蚀；对脊形波导上方绝缘膜被完全刻蚀的外延片去胶，在所述脊形波导上得到电极窗口。本发明用于外延片上脊形波导电极窗口的制作，能在晶圆发生翘曲、光刻机对准精度不足的情况下，完成零对准偏差的电极窗口制备。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 对准 刻蚀 工艺 脊形波导 电极 窗口 制作方法 | ||
【主权项】：
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