[发明专利]基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法

权利要求书

1.一种基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在刻蚀好脊形波导的外延片上沉积一层绝缘膜；

在所述绝缘膜上涂一层光刻胶，并进行软烘；

对所述光刻胶进行刻蚀，直至脊形波导上方的光刻胶被完全刻蚀后停止，并对残留的光刻胶进行硬烘；

对硬烘后外延片上脊形波导上方的绝缘膜进行刻蚀；

对脊形波导上方绝缘膜被完全刻蚀的外延片去胶，在所述脊形波导上得到电极窗口。

2.如权利要求1所述的基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法，其特征在于，所述脊形波导的高度为500nm-4um，宽度为1um-10um。

3.如权利要求1所述的基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法，其特征在于，所述绝缘膜的厚度为60nm-300nm。

4.如权利要求1所述的基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法，其特征在于，所述绝缘膜的材质包括氧化硅或者氮化硅。

5.如权利要求1所述的基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法，其特征在于，所述绝缘膜上涂的光刻胶的厚度为1um-10um。

6.如权利要求1所述的基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法，其特征在于，所述在所述绝缘膜上涂一层光刻胶的方法包括旋涂。

7.如权利要求1所述的基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法，其特征在于，所述对所述光刻胶进行刻蚀采用的方法包括各向异性干法刻蚀。

8.如权利要求1所述的基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法，其特征在于，所述对脊形波导上方绝缘膜被完全刻蚀的外延片去胶的方法包括湿法去胶和等离子体干法去胶。