[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210080182.2 | 申请日： | 2022-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN114429913A | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 陈宏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/8234;H01L23/31;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，先形成钝化层，钝化层覆盖导电层的侧壁和顶部以及半导体衬底，所述钝化层可以保护导电层以及半导体衬底，防止灰尘或水汽等；然后，在钝化层上形成侧墙材料层，所述侧墙材料层覆盖所述钝化层，接着，对所述侧墙材料层进行刻蚀，以去除所述半导体衬底上的侧墙材料层以及去除所述导电层顶部的所述侧墙材料层，并保留所述导电层侧壁的所述侧墙材料层以形成侧墙层，所述侧墙层可起到支撑所述导电层的作用，避免导电层在高温环境下发生倒塌或者倾斜。相比现有技术，在刻蚀所述钝化层的过程中，钝化层的过刻蚀量较少，可避免损伤钝化层下方的导电层，由此避免等离子体损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
