[发明专利]一种钼背板基底的单晶硅靶材制备方法在审
| 申请号： | 202210079634.5 | 申请日： | 2022-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN114393449A | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;周鹏飞 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 韩承志 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种钼背板基底的单晶硅靶材制备方法，所述制备方法包括：对单晶硅靶材焊接面依次进行打磨处理以及PVD镀膜处理，得到预处理单晶硅靶材；对钼背板焊接面进行打磨处理，得到预处理钼背板；使用焊料对所述预处理单晶硅靶材的焊接面以及所述预处理钼背板的焊接面分别独立地进行浸润处理；将所述预处理单晶硅靶材以及所述预处理钼背板进行组装，在加压条件下冷却后得到所述钼背板基底的单晶硅靶材。所述制备方法可有效提高焊接层厚度，进而提高焊接结合率以及成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背板 基底 单晶硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波江丰电子材料股份有限公司，未经宁波江丰电子材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210079634.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
