[发明专利]一种基于氮化铝陶瓷的预置金锡焊料生产方法在审
申请号: | 202210077382.2 | 申请日: | 2022-01-24 |
公开(公告)号: | CN114121683A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 杜晶;徐健;孙世刚 | 申请(专利权)人: | 四川科尔威光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/367;H01L23/373 |
代理公司: | 成都市鼎宏恒业知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 51248 | 代理人: | 罗杰 |
地址: | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及封装材料技术领域,具体涉及是一种基于氮化铝陶瓷的预置金锡焊料生产方法,通过电沉积金锡焊料方式,大大提高了金锡焊料配比稳定性,通过整套工艺方法,极大降低了预置金锡焊料的成本,通过本方法获得的预置金锡氮化铝陶瓷薄膜电路,图形层的金层厚度可控制,预置金锡焊料的厚度和金锡比例可控制,可依据需求制订不同大小的掩膜板控制预置金锡的大小和位置,从而精准满足客户的封装需求,解决了传统的封装方式通过金锡焊料片放置在氮化铝陶瓷热沉上,再将光芯片放置在金锡焊料片上的方式实现封装,随着高集成度,高精细度的需求提升,这样的封装方式不再适合高传输速率光模块的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 氮化 陶瓷 预置 焊料 生产 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造