[发明专利]一种基于人工智能算法的NAND Flash存储磨损平衡管理方法在审

专利信息
申请号: 202210074250.4 申请日: 2022-01-21
公开(公告)号: CN114489507A 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 苏莹莹;李元章 申请(专利权)人: 苏州宏存芯捷科技有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F13/16
代理公司: 北京盛凡佳华专利代理事务所(普通合伙) 11947 代理人: 张丽娜
地址: 215000 江苏省苏州市张家港市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明属于NAND Flash存储领域,具体的说是一种基于人工智能算法的NAND Flash存储磨损平衡管理方法,所述NAND Flash存储磨损平衡管管理方法包括以下步骤:S1:确保FLASH是全新状态,每擦写BLOCK一次时,会在该区域打上一个使用标记;S2:随着时间的推移,FLASH使用的增加BLOCK出现擦写不均,有的区域擦写次数多,FLASH磨损严重,有的区域擦写次数少,FLASH磨损轻微;S3:引入对应的管理机制,该管理机制包括GPIQ、NPU单元、PCLE控制单元和NVME控制单元,所述NPU单元通过DDR PHY与存储单元数据双向连接;实现了在控制器中增加NPU单元,动态维护一个该SSD每个BLOCK的实时写入次数信息,避免传统计数方式带来的延迟和写寿命快速耗尽;从而达到使SSD更加合理、高效的使用。
搜索关键词: 一种 基于 人工智能 算法 nand flash 存储 磨损 平衡 管理 方法
【主权项】:
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