[发明专利]一种单光子雪崩二极管性能参数的计算方法在审
| 申请号： | 202210071445.3 | 申请日： | 2022-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN114492278A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 何蕤;兰潇健;刘超晖;马四光 | 申请（专利权）人： | 季华实验室 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367;G06F111/08;G06F111/10 |
| 代理公司： | 北京开阳星知识产权代理有限公司 11710 | 代理人： | 李晶 |
| 地址： | 528200 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种单光子雪崩二极管性能参数的计算方法，该方法包括：建立单光子雪崩二极管仿真模型进行仿真计算；基于所述仿真计算的结果，得出沿着所述单光子雪崩二极管长度方向上不同位置的性能参数值；所述性能参数值包括光子探测效率和/或暗计数；对所述单光子雪崩二极管不同位置的所述性能参数值进行线积分计算；确定线积分计算结果为所述单光子雪崩二极管的性能参数值。本申请提供的一种单光子雪崩二极管性能参数的计算方法，能够更好的反映SPAD横向不同长度部位的光子探测效率和/或暗计数的分布，并且能够获得符合实际的光子探测效率和/或暗计数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光子 雪崩 二极管 性能参数 计算方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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