[发明专利]一种晶圆V形TSV孔刻蚀结构的制备方法在审
| 申请号： | 202210069632.8 | 申请日： | 2022-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN114420556A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 丁景兵;曹卫达;刘阳;黄斌;常赟;陈博 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/768 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人： | 杨晋弘 |
| 地址： | 233030 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶圆V形TSV孔刻蚀结构的制备方法，包括以下步骤：S1、在衬底表面制备氧化硅掩蔽层及光刻胶；S2、刻蚀掩蔽层形成喇叭形开口；S3、刻蚀衬底形成TSV盲孔；S4、去除衬底光刻胶用SF6气体对掩蔽层进行刻蚀，确保TSV盲孔的侧掏尖角裸露出来；S5、取消刻蚀偏置功率，用SF6气体进行刻蚀掉侧掏尖角形成交界面平滑的TSV盲孔孔壁；S6、去除掩蔽层减薄多余硅衬底形成TSV通孔，在通孔内沉积氧化硅绝缘层、电镀金形成导电通孔，实现晶圆正反面电气信号的连接。本发明的有益效果是：1.避免后续CVD工艺导致介质层缩口的问题；2.避免电镀过程中TSV通孔孔口提前封口造成孔内出现空洞的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tsv 刻蚀 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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