[发明专利]动态随机存取存储器的形成方法在审
| 申请号： | 202210062622.1 | 申请日： | 2022-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN114373720A | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 刘藩东;华文宇;骆中伟 | 申请（专利权）人： | 芯盟科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种动态随机存取存储器的形成方法，包括：形成沿所述第二方向贯穿所述有源区的第一沟槽和所述第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽均自所述第一面向所述第二面延伸，且所述第一沟槽位于所述字线区内，所述第二沟槽位于所述沟道区内；在所述第一沟槽侧壁形成字线栅结构和第一隔离结构，且各个所述第一沟槽内的两个字线栅结构之间由所述第一隔离结构相互隔离；在所述第二沟槽内形成第二隔离结构；形成所述字线栅结构、所述第一隔离结构和所述第二隔离结构之后，自所述第二面向所述第一面的方向对所述衬底进行减薄处理，直至暴露出所述第二沟槽。所述第一沟槽和所述第二沟槽在同一次光刻工艺中形成，利于形成均匀的器件沟道，提高器件性能稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 随机存取存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
