[发明专利]动态随机存取存储器的形成方法

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底包括若干相互分立且平行于第一方向的有源区，且若干所述有源区沿第二方向排列，所述第一方向与所述第二方向垂直，每个所述有源区均包括若干字线区和若干沟道区，且每个所述有源区中的若干所述字线区和若干所述沟道区沿所述第一方向间隔排列；

形成沿所述第二方向贯穿所述有源区的第一沟槽和所述第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽均自所述第一面向所述第二面延伸，且所述第一沟槽位于所述字线区内，所述第二沟槽位于所述沟道区内；

在所述第一沟槽侧壁形成字线栅结构和第一隔离结构，且各个所述第一沟槽内的两个字线栅结构之间由所述第一隔离结构相互隔离；

在所述第二沟槽内形成第二隔离结构；

形成所述字线栅结构、所述第一隔离结构和所述第二隔离结构之后，自所述第二面向所述第一面的方向对所述衬底进行减薄处理，直至暴露出所述第二沟槽。

2.如权利要求1所述动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述第一沟槽的宽度大于所述第二沟槽的宽度。

3.如权利要求2所述动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述若干第一沟槽和所述若干第二沟槽的形成方法包括：在所述第一面上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层内具有第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出所述字线区表面，所述第二开口暴露出部分所述沟道区表面，所述第一开口在沿所述第一方向上的尺寸大于所述第二开口在沿所述一方向上的尺寸；以所述第一掩膜层为掩膜刻蚀所述有源区，形成所述若干第一沟槽和所述若干第二沟槽。

4.如权利要求3所述动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层包括若干相互分立的侧墙，各个所述侧墙在沿所述第一方向上的尺寸相等。

5.如权利要求3所述动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，先形成所述字线栅结构，后形成所述第二隔离结构；所述方法还包括：形成所述若干第一沟槽和所述若干第二沟槽后，在所述若干第二沟槽内形成保护层；形成所述字线栅结构后，且在形成所述第二隔离结构前，去除所述若干第二沟槽内的所述保护层，使所述若干第二沟槽暴露。

6.如权利要求5所述动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述保护层的形成方法包括：在所述若干第一沟槽和所述若干第二沟槽内形成初始保护层；在所述第一面上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层暴露出所述若干第一沟槽内的初始保护层表面；以所述第二掩膜层为掩膜，刻蚀所述若干第一沟槽内的初始保护层，使所述若干第一沟槽表面暴露，以所述若干第二沟槽内的初始保护层形成所述保护层。

7.如权利要求2所述动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述若干第一沟槽和所述若干第二沟槽的形成方法包括：在所述第一面上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层内具有第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出部分所述字线区表面，所述第二开口暴露出部分所述沟道区表面，所述第一开口与所述第二开口的尺寸相同；以所述第一掩膜层为掩膜刻蚀所述有源区，形成若干初始第一沟槽和所述若干第二沟槽；刻蚀所述若干初始第一沟槽，以所述若干初始第一沟槽形成所述若干第一沟槽。

8.如权利要求7所述动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，先形成所述字线栅结构，后形成所述第二隔离结构；所述方法还包括：形成所述若干初始第一沟槽和所述若干第二沟槽后，且在刻蚀所述若干初始第一沟槽前，在所述若干第二沟槽内形成保护层；形成所述保护层后，刻蚀所述若干初始第一沟槽，以所述若干初始第一沟槽形成所述若干第一沟槽；形成所述字线栅结构后，且在形成所述第二隔离结构前，去除所述若干第二沟槽内的所述保护层，使所述若干第二沟槽暴露。