[发明专利]一种基于GaAs pHEMT工艺和GaN工艺的功率开关在审
| 申请号： | 202210052613.4 | 申请日： | 2022-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN114421936A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 陈阳平;苏黎明;毋茜 | 申请（专利权）人： | 成都明夷电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/042 | 分类号： | H03K17/042;H03K17/687 |
| 代理公司： | 成都君合集专利代理事务所(普通合伙) 51228 | 代理人： | 尹新路 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种基于GaAs pHEMT工艺和GaN工艺的功率开关；驱动放大器部分采用GaAs pHEMT工艺，开关部分采用GaN工艺；相比于其他工艺，GaAs pHEMT工艺具有更高的电子迁移率和优异的功率性能，可以在更低温度下工作，提供更大的电流密度和电子迁移率，使得工作频率和增益有所提高；与传统的Si功率器件相比，GaN功率开关具有较低的导通电阻和更快的开关性能，是高开关频率和高效率操作的最优选择之一。当开关频率增加到MHz级时，软开关对于进一步减小开关损耗和提高效率起着重要作用；本发明与传统功率开关相比，可以实现低的开关损耗而不显著增加其导通损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 gaas phemt 工艺 gan 功率 开关 | ||
【主权项】：
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