[发明专利]一种高度稳定的PQD闪烁体及其制备方法在审
| 申请号： | 202210052415.8 | 申请日： | 2022-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN115685304A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 张志军;陈轶阳;何纬翔 | 申请（专利权）人： | 杭州钛光科技有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/202 | 分类号： | G01T1/202;C09K11/02;C09K11/06;C09K11/61;C09K11/66 |
| 代理公司： | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 向庆宁;曹小燕 |
| 地址： | 311113 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高度稳定的PQD闪烁体及其制备方法，在液相PQD合成反应中，通过预先在配体上合成末端双键，利用带末端双键的配体包覆PQD表面，再经X射线照射，使配体之间的末端双键发生加成反应，相互连接成网状结构，制得核壳包覆结构的PQD闪烁体，完全解决热稳定性和辐射稳定性问题，并且不会降低PQD材料的密度或X射线截止率，保证闪烁体的性能，方法简便，成本低，应用前景广阔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高度 稳定 pqd 闪烁 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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