[发明专利]具有压电薄膜的偏置结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210050861.5 | 申请日： | 2022-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN114497345A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 刘悦;马有草;宋健;赵玉垚 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L41/047 | 分类号： | H01L41/047;H01L41/08;H01L41/257;H01L41/29 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 200030 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开一种具有压电薄膜的偏置结构及其形成方法，所偏置结构包括：底电极；位于所述底电极表面的压电薄膜；所述底电极与所述压电薄膜之间的指标参数的差异大于等于最低阈值，所述指标参数与压电薄膜的自发极化相关。本方案提出以功函数差异为核心，综合考虑晶格失配和热失配等各项指标参数，通过采用性质不完全相同的底电极材料和顶电极材料，得到底电极‑压电薄膜‑顶电极的偏置结构设计，改变压电薄膜的电学边界条件和机械边界条件，增强压电薄膜的自发极化，从而获得性能更加优异的压电薄膜材料。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 压电 薄膜 偏置 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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