[发明专利]存储器阵列在审
| 申请号： | 202210041541.3 | 申请日： | 2022-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN116490003A | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 王慧琳;范儒钧;许清桦;王骏豪;林奕佑;吴东明;许博凯 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;G11C5/02;G11C5/08;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王锐 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种存储器阵列，其包含至少一带区域、至少两个子阵列、多个交错的虚设磁存储元件以及多个位线结构。带区域包含多个源极线带和多个字线带，两个子阵列包含多个交错的主动磁存储元件，且两个子阵列被带区域分开。多个交错的虚设磁存储元件设置在带区域内。多个位线结构设置在两个子阵列中，且各位线结构直接连接且设置在多个交错的主动磁存储元件中的至少一个之上。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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