[发明专利]碳化硅晶片的制造方法、碳化硅晶片和制造晶片的系统在审
| 申请号： | 202210038941.9 | 申请日： | 2022-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN114762995A | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 金政圭;具甲烈;徐正斗;崔正宇;朴钟辉 | 申请（专利权）人： | 赛尼克公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04;B28D7/00;C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;钟海胜 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅晶片制造方法、碳化硅晶片和制造晶片的系统。所述碳化硅晶片制造方法包括弯曲测量步骤；切割开始步骤；切割进行步骤，第一切割速度在约±5％的变化范围内基本上恒定；以及完成步骤，增加所述第一切割速度并且完成碳化硅锭的切割。所述线锯的供给量在切割开始步骤中达到第一供应量，随后在所述完成步骤之前在约±5％的变化范围内基本上恒定。r是所述一个表面的半径，a可以是i)1.4弧度至1.75弧度或ii)2.96弧度至3.32弧度。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶片 制造 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赛尼克公司，未经赛尼克公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210038941.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
