[发明专利]一种掩模版优化方法在审
| 申请号： | 202210033172.3 | 申请日： | 2022-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN114217504A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 吴宗晔;叶甜春;朱纪军;罗军;李彬鸿;赵杰 | 申请（专利权）人： | 澳芯集成电路技术（广东）有限公司;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36;G03F7/20 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 苗雨 |
| 地址： | 510700 广东省广州市黄*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掩模版优化方法，其可避免掩模版图型产生桥连现场，可确保光刻效果、提升产品良品率，掩模版优化方法基于OPC修正模型实现，该方法包括：提供一目标版图；采用OPC修正模型对目标版图上的初始图型进行优化，获得优化掩模版；OPC修正模型基于第一修正模型、第二修正模型和初始图型建立，第一修正图型为用于对初始图型进行修正的初始修正图型，第二修正图型的结构根据相邻初始图型之间的最小间距设定，且第二修正图型用于对需要更换的第一修正图型进行再次修正。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 模版 优化 方法 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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