[发明专利]一种掩模版优化方法

说明书

本发明公开了一种掩模版优化方法，其可避免掩模版图型产生桥连现场，可确保光刻效果、提升产品良品率，掩模版优化方法基于OPC修正模型实现，该方法包括：提供一目标版图；采用OPC修正模型对目标版图上的初始图型进行优化，获得优化掩模版；OPC修正模型基于第一修正模型、第二修正模型和初始图型建立，第一修正图型为用于对初始图型进行修正的初始修正图型，第二修正图型的结构根据相邻初始图型之间的最小间距设定，且第二修正图型用于对需要更换的第一修正图型进行再次修正。

技术领域

本发明涉及晶体管技术领域，具体为一种掩模版优化方法。

背景技术

目前，超大规模的集成电路中，半导体器件的特征尺寸已缩小到几十纳米甚至几纳米，集成电路的集成化程度越高，半导体器件的特征尺寸会越小。在半导体加工过程中，为满足半导体器件特征尺寸的小尺寸加工要求，主要采用光刻机的光刻工艺实现半导体器件图型制作，但受光刻机解析能力限制，当光罩制造图型微缩到低于光刻机的解析能力时，会产生制程窗口不足的问题，因此一般业界会经由OPC流程对图型进行修正，使掩模版上的光刻图型尺寸达到晶圆设计要求。

OPC修正流程主要针对不同图型距离来做不同大小的修正，以期达到晶圆的设计要求，但对掩模版图型进行修正时，极易导致相邻图型之间产生桥连。例如，使用掩模版制作接触孔时，常用的掩模版图型主要包括方形、矩形两种类型，对于相同形状、相同尺寸的接触孔，所采用的光罩图型形状、尺寸大小均相同，但由于设计需求，当接触孔以密集方式分布，即接触孔之间距离非常靠近或间距很小时，如果采用OPC流程原有相同形状和尺寸大小的修正图型1对光罩(即掩模版)的相邻初始图型2进行修正，则极易产生图型桥连3(bridge)现象，见图1，从而影响了接触孔的制作精度。

发明内容

针对现有技术中存在的采用OPC修正模型的原有相同形状和尺寸大小的修正图型对掩模版初始图型进行修正时，易在距离较小的相邻图型之间产生桥连，影响了后续光刻精度的问题，本发明提供了一种掩模版优化方法，其可避免掩模版图型产生桥连现场，可确保光刻效果、提升产品良品率。

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种掩模版优化方法，该方法基于OPC修正模型实现，其特征在于，所述OPC修正模型包括第一OPC修正模型、第二OPC修正模型，对所述掩模版进行优化的步骤包括：S1、提供一目标版图，所述目标版图包括初始图型；

S2、建立所述第一OPC修正模型，所述第一OPC修正模型基于第一修正图型建立，所述第一修正图型的结构与所述初始图型的结构一致；

S3、采用所述第一OPC修正模型对所述初始图型进行初始修正，获得包含初始修正图型的所述第一优化掩模版；

S4、建立所述第二OPC修正模型，所述第二OPC修正模型基于所述第二修正图型建立，所述第二修正图型的结构根据相邻初始图型之间的最小间距设定；

S5、测量相邻两个所述初始图型之间的间距，根据间距选择是否采用所述第二OPC修正模型对相应区域的所述初始修正图型进行修正，通过所述第二OPC修正模型对所述第一优化掩模版进行修正，获得第二优化掩模版。

其进一步特征在于，

进一步的，步骤S5包括：S51、将测量的所述间距与预先设定的间距阈值进行对比，判断所述间距是否大于所述间距阈值，若否，不再进行修正，反之进入步骤S52；

S52、获取所述第一优化掩模版中间距小于等于所述阈值的区域，将该区域作为再次修正区域，采用所述第二OPC修正模型中的所述第二修正图型对所述再次修正区域的所述第一修正图型进行修正，获得所述第二优化掩模版；

进一步的，所述第一修正图型为矩形和/或正方形；

进一步的，所述第二修正图型为多边形；