[发明专利]双接触孔实现方法在审
| 申请号： | 202210022076.9 | 申请日： | 2022-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN114496910A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 潘嘉;杨继业;孙鹏;张同博 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双接触孔实现方法，提供衬底，衬底形成有隔离沟槽以形成台面结构，用于定义出衬底的有源区，有源区上形成有晶体管结构，晶体管结构包括多个电极，每个电极间均具有间隙；在衬底上形成覆盖多个电极的层间介质层；刻蚀层间介质层以及其下方相邻的两个电极，以形成两个电极共用的接触孔；填充接触孔形成导电层。本发明通过将基极接触孔和发射级接触孔集成为一个共用接触孔的方法，增加了接触孔至沟槽的间距。在此新工艺设计基础上，可以生产出台面更小的IGBT器件，得到更优的IGBT器件。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 实现 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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