[发明专利]一种基于TMDCs的电场诱导肖特基光电二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210022021.8 | 申请日： | 2022-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN114497267A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 张有为;谌望;赵野;黄嘉鑫;王顺 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学;深圳华中科技大学研究院 |
| 主分类号： | H01L31/108 | 分类号： | H01L31/108;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 许恒恒 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于二维过渡金属硫族化合物(TMDCs)的电场诱导肖特基光电二极管及其制备方法，该肖特基光电二极管自下而上依次包括导电基底(101‑1)、绝缘介质层(101‑2)和二维过渡金属硫族化合物TMDCs层(201)，在所述二维过渡金属硫族化合物TMDCs层(201)上还分别设置有均由金属材料构成的源极(301‑1)和漏极(301‑2)。在漏极施加电压时，漏极与导电基底之间的纵向电场将调控金属接触下面TMDCs的载流子浓度，改变漏极处肖特基势垒高度，从而实现肖特基二极管开关特性。光照下，光生载流子在源极与漏极之间横向电场作用下分离，形成光电信号。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 tmdcs 电场 诱导 肖特基 光电二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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