[发明专利]一种活性金属钎焊陶瓷基板及其制作方法在审
申请号: | 202210015854.1 | 申请日: | 2022-01-07 |
公开(公告)号: | CN114373685A | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | 井敏 | 申请(专利权)人: | 井敏 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498 |
代理公司: | 江苏瑞途律师事务所 32346 | 代理人: | 金龙;陈文飞 |
地址: | 234222*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种活性金属钎焊陶瓷基板及其制作方法,属于陶瓷金属化处理领域。本发明方法为:在金属片上以不完全蚀刻的方式加工线路图形;而后将活性金属焊料整体印刷在线路图形上并进行烘干;然后将金属片进行表面处理;再将清洗后的陶瓷片安装在金属片的固定槽内,再对金属片进行对折得到组装件;之后将N件组装件叠压在一起并进行烧结,使得金属片与陶瓷片烧结在一起;其中,N≥1;而后去除组装件残余的金属形成活性金属钎焊陶瓷基板。针对现有技术中的AMB基板制作过程易造成化学污染且蚀刻困难的问题,本发明的制作工艺省略了蚀刻液和活性金属焊料的使用,不仅避免了环境污染问题,还大大降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 活性 金属 钎焊 陶瓷 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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