[发明专利]一种RC-IGBT抗单粒子烧毁器件半元胞结构在审
| 申请号： | 202210005306.0 | 申请日： | 2022-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN114361241A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 王颖;张孝冬;包梦恬;于成浩 | 申请（专利权）人： | 大连海事大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L23/552;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京盛询知识产权代理有限公司 11901 | 代理人： | 方亚兵 |
| 地址： | 116000 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种RC‑IGBT抗单粒子烧毁器件半元胞结构，该RC‑IGBT器件与传统器件相比增加了N‑缓冲层的厚度，且N‑缓冲层向上抬起一定的距离。由于上述的N‑缓冲层被加厚，使器件运行过程中受重粒子影响后的电场得到一定的缓解，提高了抗单粒子烧毁的韧性。另一方面，由于上述的N‑缓冲层被抬高，使器件运行过程中的电子导通路径的电阻增大，使器件的snapback效应没有受到缓冲层被加厚的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rc igbt 粒子 烧毁 器件 半元胞 结构 | ||
【主权项】：
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