[发明专利]具有贯穿衬底过孔的结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202180092096.7 | 申请日： | 2021-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN116762163A | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | G·高;G·G·小方丹 | 申请（专利权）人： | 美商艾德亚半导体接合科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 丁君军 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开了一种微电子结构。微电子结构可以包括体半导体部分，该体半导体部分具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。微电子结构可以包括过孔结构，该过孔结构沿着不平行于第一表面的方向至少部分延伸穿过体半导体部分。微电子结构可以包括第一电介质阻挡层，该第一电介质阻挡层设置在体半导体部分的第一表面上并且延伸到过孔结构。微电子结构可以包括第二电介质层，该第二电介质层设置在第一电介质阻挡层上并且延伸到过孔结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 贯穿 衬底 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
