[发明专利]硅的湿法各向异性蚀刻在审
| 申请号： | 202180082297.9 | 申请日： | 2021-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN116601741A | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 西蒙·乔舒亚·雅各布斯 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种碱性蚀刻溶液(40)，包含氢氧化物盐(10)(例如，碱金属氢氧化物、氢氧化铵或其组合)、具有至少三个羟基(‑OH)基团的多元醇(20)和水(30)。还提供了一种生产半导体器件的方法，所述方法包括：获得具有掩蔽表面和未掩蔽表面的半导体衬底；将所述具有掩蔽表面和未掩蔽表面的半导体衬底暴露于碱性蚀刻溶液(40)，使得所述衬底的未掩蔽表面被各向异性地蚀刻，其中所述碱性蚀刻溶液(40)包含：氢氧化物盐(10)；具有至少三个羟基(‑OH)基团的多元醇(20)；以及水(30)；以及进行附加处理以生产所述半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 湿法 各向异性 蚀刻 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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