[发明专利]氮化镓再生长中的杂质还原技术在审
| 申请号： | 202180076976.5 | 申请日： | 2021-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN116457946A | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | J·G·费奥雷恩扎;D·皮埃德拉 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 描述了在GaN再生长中减少杂质掺杂剂的各种技术。在第一种技术中，可以在再生长GaN层之前的再生长界面处形成阻挡层，例如AlN。阻挡层可以在再生长界面处掩埋杂质，并减少它们对包括器件(例如晶体管)的沟道的上面的层的影响。在第二种技术中，可以在再生GaN层之前在再生界面处形成缓冲层，例如碳掺杂的GaN层。碳可以作为受体来补偿掺杂剂，例如硅，并消除它们对上述层的电子效应。在第三种技术中，可以在GaN再生长之前进行氢烘烤处理。氢可以在再生长界面解吸GaN薄层，这是杂质浓度最高的GaN层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 再生 中的 杂质 还原 技术 | ||
【主权项】：
暂无信息
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