[发明专利]OE装置与IC的集成在审
申请号: | 202180074042.8 | 申请日: | 2021-10-08 |
公开(公告)号: | CN116457943A | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | R·卡尔曼;B·佩泽什基;C·丹尼斯;A·采利科夫 | 申请(专利权)人: | 艾维森纳科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘媛媛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 用于IC芯片的光学互连件可包含与所述IC芯片集成的光源及接收器。微型LED可安装在所述IC芯片的互连层上,且嵌入波导内。用于接收来自所述波导的光的光电检测器可制造在半导体衬底的顶表面中,在所述互连层的层级下方,但具有供光通过所述互连层的通道。 | ||
搜索关键词: | oe 装置 ic 集成 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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