[发明专利]单片纳米柱结构在审
| 申请号： | 202180072779.6 | 申请日： | 2021-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN116568631A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 纳吉布·阿什拉夫·克哈利德;黎惠平;亚历山大·诺维科夫 | 申请（专利权）人： | 4233999加拿大股份有限公司 |
| 主分类号： | B82Y20/00 | 分类号： | B82Y20/00 |
| 代理公司： | 北京煦润律师事务所 11522 | 代理人： | 梁永芳 |
| 地址： | 加拿大魁北克*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 氮化镓(GaN)纳米柱阵列在极性c面或半极性面上具有量子阱以发射引导至纳米柱的端部的光，并且具有间隙填充材料以将在纳米柱中发射的光从纳米柱的一端引导至出口。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 纳米 结构 | ||
【主权项】：
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- 专利分类
